森国科:赋能低碳与双碳,碳化硅功率器件市场需求激增
碳化硅功率器件作为第三代明星半导体,为新能源汽车、光伏风能发电、充电桩和储能等多个领域带来了绿色“芯动力”。其优越性能体现在耐高温、耐高压、高频率和小体积四大优势。
耐高温方面,碳化硅材料的禁带宽度比硅材料大3倍,可在175℃结温下无需散热,极限工作温度可达600℃以上,且热导率高,有助于散热,确保高温下工作的可靠性。
耐高压特性,碳化硅功率器件能大幅提高耐压容量、工作频率和电流密度,同时降低导通损耗。
高频率性能得益于碳化硅材料的饱和电子漂移速率大,可实现更高工作频率和功率密度,如能量损耗减少四分之三,转化率提高,提升新能源车续航能力5%-10%。
小体积优势在于阻抗小,设计成更小体积的器件,同性能下碳化硅功率器件尺寸缩小到硅基器件的1/10,模组尺寸大幅缩小。
碳化硅功率器件在高压、高频、大功率、环境恶劣场景下,将逐渐替代硅基功率器件。新能源汽车市场爆发引发“上车潮”,特斯拉率先采用后,比亚迪、丰田、大众、通用、蔚来等车企也相继采用,推动市场扩容。预计2026年车用碳化硅功率器件需求占全行业60%,2025年新能源汽车市场对6英寸碳化硅晶圆需求超过200万片,而全球碳化硅功率器件晶圆总年产能仅40-50万片。
森国科作为专业从事碳化硅功率器件设计及销售的国家高新科技企业,已实现第五代650V和1200V SiC二极管系列、1200V SiC MOSFET的量产。产品覆盖快充电源、工业电源、光伏逆变器、储能逆变器、新能源汽车、充电桩、矿机电源等多个领域,市场应用广泛。
森国科重视研发投入,研发人员占比超过70%,研究生以上学历占比50%,与全球领先代工厂合作,采用X-FAB的6英寸线及积塔半导体的6英寸线代工。预计2023年开始,将有几十个型号的SiC MOSFET大规模量产,有望赶上新能源车快速增长的浪潮。
在“双碳”时代,森国科通过加速碳化硅功率器件的研发与应用,助力低碳与双碳目标的实现,推动电力电子行业向绿色、高效、可持续发展迈进。
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森国科:赋能低碳与双碳,碳化硅功率器件市场需求激增
森国科在赋能低碳与双碳方面,通过碳化硅功率器件满足了激增的市场需求。具体原因和表现如下:碳化硅功率器件的优势:耐高温:碳化硅材料的禁带宽度大,热导率高,能在高温下稳定工作,提高设备可靠性。耐高压:能大幅提高耐压容量、工作频率和电流密度,降低导通损耗。高频率:可实现更高工作频率和功率密度...
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森国科作为专业从事碳化硅功率器件设计及销售的国家高新技术企业,已经实现了第五代650V和1200V SiC二极管系列、1200V SiC MOSFET的量产。产品广泛应用于快充电源、工业电源、光伏逆变器、储能逆变器、新能源汽车、充电桩、矿机电源等多个领域。森国科注重研发投入,研发人员比例超过70%,与全球领先的代工...
森国科:赋能低碳与双碳,碳化硅功率器件市场需求激增
深圳市森国科科技股份有限公司(森国科)董事长杨承晋出席并以《拥抱低碳时代,森国科加快高性能创“芯”》为题,分享了“双碳”战略背景下的碳化硅材料、器件的市场规模和应用前景,以及森国科在碳化硅领域的产业化布局。